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5月24日周五，三星电子发布官方声明，对外否定了此前相关“HBM芯片因发烧和功耗问题而没能通过英伟达的测试”一外传。
声明称：
“咱们与大家多家客户HBM芯片的测试正在顺利进行，并正在进行各式测试以严格核实HBM芯片的质料和性能。”
声明进一步施展称，公司正在与客户共同优化HBM芯片的规格，这种高端内存芯片和以前的DRAM芯片不同，需要说明客户需求进行定制。
HBM芯片（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是内存芯片制造商在AI期间争夺的新战场。在这一界限，三星电子正靠近热烈竞争，其国内竞争敌手SK海力士和好意思光科技一经抢先一步，成为英伟达GPU存储器HBM3和HBM3E的供应商。
此前受该外传影响，三星股价在早间往还中一度暴跌逾3%，跌至75700韩元（约合55好意思元），期货配资公司现股价有所回升至76500韩元。
尽管三星电子否定了测试失败的报谈，但投资者关于该公司在高端内存芯片界限的竞争力仍合手严慎作风。
前年以来，三星最新的HBM3E一经进行了屡次测试，但长久未能达标。有分析指出，三星在HBM界限靠近两大关节问题，一是内存芯片散热的问题，二即是英伟达为首的芯片制造商的严格圭臬的挑战。
本周二，三星电子任命新的半导体业务左右郑荣炫，称东谈主事变动的宗旨是“在充满概略情味的大家营业环境下，增强公司的竞争实力”。
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