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（原标题：国内团队，打破新式光刻胶时候）
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导读
动作半导体制造不行或缺的材料，光刻胶质地和性能是影响集成电路电性、制品率及可靠性的要津身分。但光刻胶时候门槛高，阛阓上制程老成性高、工艺宽厚度大、普适性强的光刻胶家具历历。当半导体制造节点插足到100 nm致使是10 nm以下，怎么产陌生辨率高且截面口头优良、线旯旮松懈度低的光刻图形，成为光刻制造的共性艰辛。
针对上述瓶颈问题，九峰山实验室、华中科技大学构成连合狡计团队，维持华中科技大学团队打破“双非离子型光酸协同增强反应的化学放大光刻胶”时候。该狡计通过机密的化学结构瞎想，以两种光敏单位构建“双非离子型光酸协同增强反应的化学放大光刻胶”，最终取得光刻图像口头与线旯旮松懈度优良、space图案宽度值正态散播圭臬差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大大量商用光刻胶。且光刻显影各要领所需时候十足安妥半导体量产制造中对婉曲量和坐褥效率的需求。该狡计效果有望为光刻制造的共性艰辛提供明确的想法，同期为EUV光刻胶的效能诞生作念时候储备。相干效果以“Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists”为题，于2024年2月15日在海外顶级刊物Chemical Engineering Journal (IF=15.1)发表。该花样由国度当然科学基金、973筹谋共同资助，主要作家为华中科技大学光电国度狡计中心朱明强西宾，湖北九峰山实验室工艺中心柳俊西宾和向诗力博士。
论文相接：https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810
光刻胶全自主常识产权时候诞生
光刻胶线旯旮松懈度与分辨率频频难以协同调控，应酬上述瓶颈问题，九峰山实验室与华中科技大学研发东说念主员共同瞎想新结构体系和光反应机制寻求搞定策略。
此项狡计折柳将光敏单位：4，5-二甲氧基-2-硝基苄基甲基丙烯酸酯（MONMA）和光致产酸剂（PAG）：4，5-二甲氧基-2-硝基苯对甲苯磺酸酯（MONS）引入基质中，杠杆股票配资光照下，基质中解放分散的MONS光解成游离的小分子强酸，而团聚物主链上的MONMA则造成局域化羧酸，两种酸同步协同催化叔丁基甲基丙烯酸酯（TBMA）保护基团更正为可溶化于2.38% TMAH水基显影液的羧酸（图1）。TBMA生成的羧酸反过来可催化TBMA产生更多的羧酸，权臣加速酸单位的扩散增殖，可显着裁汰光刻胶对曝光系统光照强度的条目。
图1. 几种不同光刻胶体系在紫外光发射下膜层的紫外接管光谱动态变化：(a) P(MONMA-TBMA); (b) P(MONMA-HEMA-TBMA); (c) MONS/PMMA; (d) MONS/PTBMA; (e) MONS/P(MONMA-TBMA); (f) MONS/P(MONMA-HEMA-TBMA)。
MONS/MONMA二元合营体系相互调制，将最毕生成的光酸浓度放胆在最好范围，因此该体系光刻胶的线旯旮松懈度低且分辨率高。同期因MONMA与MONS分子结构的高度同样性，MONS分子可十足分散溶化于三元团聚物P(MONMA-HEMA-TBMA)体系中，而不会出现相分离，期货配资公司确保了最终的光刻效果。在光学显微镜和扫描电镜的多重考证下，最终取得的光刻图像口头与线旯旮松懈度优良，space图案宽度值正态散播的圭臬差（SD）极小，约为0.05（图2）。
图3.（a）光刻显影后P(MONMA-HEMA-TBMA)化学放大胶的光学显微镜效果图；（b）光刻胶十字图案名义口头的扫描电镜图像；（c）光刻胶沟说念图案名义口头的扫描电镜图像；（d）光刻胶沟说念图案宽度正态散播。
“用”为导向，产学研用深度交融
依托九峰山实验室工艺平台，上述具有自主常识产权的光刻胶体系在产线上竣工了初步工艺考证，并同步完成了各项时候目的的检测优化，终澄澈从时候诞生到效果更正的全链条买通。
九峰山实验室面向国度首要策略和产业共性时候需求，将连接坚抓以“用”为导向，与高校及狡计机构积极开展共同狡计，鼓吹产学研用深度交融，为学术效果加速产业化提供先进的工艺诞生平台，发达产业时候“灯塔”作用。
作家先容
朱明强西宾，2001年毕业于北京大学，获理学博士学位。华中科技大学武汉光电国度狡计中心西宾。
柳俊西宾，2014年毕业于香港城市大学，获理学博士学位。于2021年加入湖北九峰山实验室，任工艺中心垄断。
向诗力博士，2021年毕业于华中科技大学武汉光电国度实验室，获理学博士学位。2022年加入湖北九峰山实验室，现在主要认真半导体光刻制造的前端研发。
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